产品概述：

SD2110 是一款高压、高速功率、抗辐射 MOSFET 和IGBT驱动器，具有独立的高低边输出通道。逻辑输入与标准 CMOS 或 TTL 输出兼容。输出驱动器具有一个高电流缓冲级，传输延迟匹配，以简化在高频应用中的使用。

产品特点：

• 浮空沟道设计用于自举工作，可在+600V 电压下完全运行，耐受瞬态电压；
• 栅极驱动电压范围为 10-20V；
• 双通道欠压锁定；
• 独立的逻辑电源范围为 5-20V，逻辑地和电源地±5V 偏移；
• 周期性边沿触发逻辑关断；
• 双通道传输延迟匹配;
• 输入输出同步

对于商业航天等恶劣环境下应用，可以采用SD2110RH，以满足可靠性要求，抗辐射能力如下：

• 总剂量：50krad(Si)
• 抗单粒子锁定SEL、抗单粒子烧毁SEB：≥37.5MeV·cm²/mg

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